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Dr. Andrey Krysa

Profil

Derzeitige StellungProfessor W-1 und Äquivalente
FachgebietHalbleiterphysik,Metallurgische, thermische und thermomechanische Behandlung von Werkstoffen,Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
Keywordsepitaxy, MOVPE, MOCVD, semiconductor, optoelectronics

Aktuelle Kontaktadresse

LandVereinigtes Königreich
OrtSheffield
Universität/InstitutionUniversity of Sheffield
Institut/AbteilungDepartment of Electronic and Electrical Engineering

Gastgeber*innen während der Förderung

Prof. Dr. Klaus HeimeInstitut für Halbleitertechnik (IHT), Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen (RWTH), Aachen
Beginn der ersten Förderung01.03.1999

Programm(e)

1998Humboldt-Forschungsstipendien-Programm

Publikationen (Auswahl)

2000Andrey Krysa, Yu.V. Korostelin, V.I. Kozlovsky, P.V. Shapkin, H. Kalisch, R. Rüland, M. Heuken, K. Heime: ZnSe/ZnMgSSe QW structures grown by MOVPE on transparent ZnSSe substrates. In: Microelectronic Engineering, 2000, 19-26
2000Andrey Krysa, Yu.V. Korostelin, V.I. Kozlovsky, P.V. Shapkin, H. Kalisch, R. Rüland, M. Heuken, K. Heime: ZnSe/ZnMgSSe structures on ZnSSe substrates. In: Journal of Crystal Growth, 2000, 335-358
2000Andrey Krysa, H. Kalisch, H. Hamadeh, R. Rüland, J. Berntgen, M. Heuken: ZnSe: Sb/ZnSe: Cl heteroepitaxial LED grown by MOVPE. In: Journal of Crystal Growth, 2000, 1163-1165
1999Andrey Krysa, et al.: Homoepitaxial ZnSe layers and ZnSe/ZnMgSSe structures on ZnSSe substrates. In: EW MOVPE , 1999, 119-122